DB하이텍, 수입 의존도 높은 'GaN전력반도체' 개발 본격화


에이프로세미콘과 공동 개발 MOU 체결…차세대 고부가 전력반도체 시장 주도 기반 마련

[아이뉴스24 장유미 기자] 국내 파운드리(반도체 위탁생산) 기업인 DB하이텍이 반도체 설계 전문업체 에이프로세미콘과 손잡고 차세대 전력반도체 개발에 본격 나선다.

양사는 22일 경기 군포 에이프로 본사에서 GaN(질화갈륨)전력반도체 파운드리 공정기술 개발을 위한 업무협약(MOU)을 맺었다.

DB하이텍-에이프로세미콘 업무협약. (왼쪽부터) 임종현 에이프로세미콘 대표, 조기석 DB하이텍 파운드리영업본부장 부사장 [사진=DB하이텍]

이에 따라 양사는 올해부터 2024년까지 GaN전력반도체 생산을 위한 공정기술 개발을 추진할 계획이다. 또 에이프로세미콘이 제조하는 8인치 GaN에피웨이퍼 제품 적용을 포함하는 포괄적인 협력 관계를 구축할 예정이다.

질화갈륨을 적용한 GaN반도체는 기존 실리콘 소재 반도체보다 전력효율과 내구성이 좋아 차세대 반도체로 주목받고 있다. 다만 국내에선 해외 수입 의존도가 여전히 높다.

양사는 이번 협약을 통해 8인치 GaN 에피웨이퍼의 국산화 결실뿐만 아니라 매출까지 연결될 것으로 전망했다.

또 DB하이텍은 이번 협력으로 GaN전력반도체 핵심 공정기술을 확보하고 스마트폰과 IT 기기, 전기차 등에 사용되는 차세대 전력반도체를 생산한다는 계획이다.

DB하이텍 관계자는 "GaN반도체 시장은 올해 2억7천만 달러에서 2027년 20억 달러 규모로 연평균 49%의 고성장이 기대되는 분야"라며 "급성장하는 차세대 고부가 전력반도체 시장을 주도할 수 있는 기반을 마련했다"고 밝혔다.

/장유미 기자(sweet@inews24.com)







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